年初CASA第三代半导体产业技术创新战略联盟正式发布了《第三代半导体产业发展报告（）》（以下简称“报告”）。报告从产业、技术产品、市场应用、资本、*策等多方面论述了第三代半导体已成为多产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，并成为全球半导体技术和产业竞争焦点。
报告中指出，全球经济贸易格局处于重塑区，中国经济内外部环境更加严峻复杂。但切合宏观国家重大战略需求的*策利好，第三代半导体产业逆势增长，技术、产品、市场、投资均呈现较高增长态势，产业步入发展快车道。技术产品方面，高品质4英寸SiC衬底全面商业化，进程加速。GaN衬底量产技术趋于稳定，2-3英寸小批量已实现产业化，4英寸样品实现，综合指标达到国际先进水平。市场应用方面，GaN快充市场和射频应用火热增量。统计数据显示，国内外市场超30家厂商生产GaN快充产品，国内步步高系和小米已开始采用GaN的解决方案。GaN射频应用方面，全球超个国家进行5G网络部署将加速推进下游应用在5G和显示等市场的拓展。截至年底，我国已完成13万个宏基站建设，而年宏基站需求量将达到近50万站。市场规模从年的5.34亿美元快速上升至年的13.24亿美元；而年我国第三代半导体整体产值超过亿元。
-年基站数量预测（单位：百万个）资料来源：Yole报告中指出，年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长，企业加速布局第三代半导体，经过几年的发展，各地产业集聚已初步形成，其中珠三角区域产业发展较快，产业集聚之势基本成型，东莞中镓半导体等企业进展较快，成为国内第三代半导体中坚力量。中镓半导体自年成立以来，历经十余年的发展，是一家世界级的GaN材料制造商。中镓半导体创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，为客户提供广泛的产品和服务。我国第三代半导体行业正以前所未有的速度蓬勃发展。随着5G时代的到来和电子电力应用市场的兴起，GaN材料作为一种宽禁带半导体，具有高功率密度、低能耗、适合高频率等特点，是实现5G的关键材料。GaN器件也是目前最快的功率开关器件。4英寸氮化镓自支撑衬底去年，中镓半导体在4英寸氮化镓单晶衬底技术实现了里程碑式的突破，引起业内的广泛